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機械式硬碟的淘汰:才是使SSD硬碟停止漲價的關鍵

機械硬碟由於本身的物理架構問題,導致其體積重、不抗震、讀寫慢、回應速度低等弊端,成為PC性能發展的一大瓶頸。相比較而言,NAND快閃記憶體的體積小、更抗震、資料讀取速度快,資料儲存也更為安全。

 

不過,早期的快閃記憶體由於原材料較貴,單位容量比硬碟更貴。隨著像三星等上游Flash廠商技術不斷突破,如今,快閃記憶體的價格正在快速下降,同時其制程也在不斷提高。不久的將來,快閃記憶體的價格將與普通硬碟處在同一級別,屆時快閃記憶體將取代硬碟成為常規存儲。

 

但是正在大家期盼SSD價格一路下滑時,它卻觸底反彈。據ChinaFlashMarket報價統計,自2016年5月下旬SSD漲價以來,120GB TLC SSD價格已從25美元上漲至37美元,漲幅達48%;240GBTLC SSD價格已從44美元上漲至66美元,漲幅高達50%。

 

價格暴漲的SSD直接導致固態硬碟推進速度變緩,原本在2016年預估滲透率從40%-50%下調到35%,使用者購買大容量SSD意願也大幅降低。那麼究竟是什麼原因導致SSD價格上漲呢?原因有兩方面。

 

過渡到3D NAND技術後良率不高

 

固態硬碟絕大部分成本來自於NAND Flash,為此上游NAND廠商就通過升級NAND Flash來降低成本。其中三星是最早成功量產3D NAND的廠商,隨後Intel、美光、東芝等廠商也開始全力調撥2D NAND Flash產能轉進3D NAND,但由於3D NAND生產良率不如預期,2D NAND供給量又因產能排擠縮小,NAND Flash市場出現貨源不足問題,價格也因此明顯上漲。

 

何為3D NAND Flash

 

從技術結構上講,3D NAND通過立體堆疊的方式使單位面積承載更大的儲存容量,2D NAND好比是平房,3D NAND則是高樓,建築面積成倍提升,理論上可以無限堆疊。

 

目前2D NAND工藝逼近物理極限,單位面積存儲容量難以繼續提升。3D NAND解決了由於晶圓物理極限而無法進一步擴大單die可用容量的限制,進一步推動了存儲顆粒總體容量的飆升。

 

移動設備對Flash需求增加

 

隨著移動網路的發展,用戶對智慧手機等移動設備需求與日俱增。每年的Q3季度都是智慧機銷售旺季,加上2016年的iPhone新品最低容量從32GB起跳,最高提升至256GB,同時帶動了其他智慧機品牌的跟進,大容量智慧手機刮起了一陣旋風,加劇了NANDFlash供應端的壓力。

 

綜上所述,NAND Flash市場缺貨主要是因為上游廠商向3D技術轉換導致2D NAND Flash產出減少,加上智慧移動設備需求增長,更是雪上加霜。不過近一年上游廠商產能調整過渡期,在2017年下半年有望出現緩和跡象。一方面三星順利過渡到64層3D NAND技術,東芝也開始在下半年大規模量產3D NAND Flash,屆時市場供貨緊缺的市況將有望得到緩解。

 

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